东京, 2025年1月23日 - (亚太商讯) - 以田中贵金属的产业用贵金属展开事业的田中贵金属工业株式会社（总公司：东京都中央区，执行总裁：田中 浩一朗）宣布开发出用在功率半导体封装制造中，芯片贴装的片状接合材料「AgSn TLP片」。本产品除了功率半导体的芯片贴装用途之外，还有望推广到散热器中进行大面积接合，作为热界面材料（TIM材料）（※1）的替代材料。
可实现大电流型的大型Si（硅）芯片接合的薄片状接合零件
近年来，以EV、HV、产业基础建设等用途为主，大电流型功率半导体需求日益提升。于此同时，在接合大型化的Si芯片方面，则需要能够接合大面积且同时确保高可靠性的材料。本次宣布的「AgSn TLP片」最大可对应到20mm的半导体芯片接合。另外，可以在3.3MPa的低加压下进行接合，也为改善半导体制造的良品率作出贡献。
对低温接合及功率半导体所需的高耐热性和热管理做出贡献
由于高温会引起故障和使用寿命缩短的影响，因此包括功率半导体在内的半导体元件需具有高温耐热性。此外，在功率半导体封装制造方面，目前主要的使用接合材料普遍是会对环境造成负荷而正逐渐被其他材料取代的（※2）高铅焊锡、耐热性较低的SAC焊锡（※3）以及银（Ag）烧结材等材料。本产品可在250℃的加热温度下进行液相扩散接合（※4）。接合后，耐热温度可高达480℃，比现有材料更具有高耐热性。此外，在接合强度方面，由于最大会维持在50MPa，因此可以对应各种被接合材料。另外，本产品为无铅的接合零件，在接合上通过3,000次热循环测试的高可靠性也为其一项特色。
另外，由于可以进行大面积接合，因此除了将其用作功率半导体的芯片贴装材料之外，也有望将其用作TIM材料的替代材料。在半导体封装制造方面，虽然已经开发出各种高热传导率的材料，但TIM材料的低热传导率仍是整个热设计中的一大瓶颈。本产品可在50mm以上的TIM材料进行大面积接合，且为具有高热传导率的接合材料，期待能为半导体封装制造的热管理作出贡献。
田中贵金属工业今后也将致力于为预估将日益扩大的半导体市场发展作出贡献。
「AgSn TLP片」规格
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（※1）热界面材料（TIM材料）（Thermal Interface Material）：是一种插入零件之间，会将电子设备内部产生的不必要的热能进行散热的热传导性材料。
（※2）尽管依据RoHS指令，「铅」为规范对象，但在「技术、科学上无法取代的用途」方面，在一定期限内仍可以使用。但由于豁免有一定期限，因此正在进行替代材料的开发。
（※3）SAC焊锡：含有锡（Sn）、银（Ag）、铜（Cu）的焊锡材料。
（※4）液相扩散接合：进行扩散接合时，将插入接合界面的金属等物质暂时熔化或液化后，利用扩散使其等温凝固进行接合的一种接合方式。英文名称为Transient Liquid Phase Diffusion Bonding（TLP接合）。
关于田中贵金属
田中贵金属自1885年（明治18年）创业以来，营业范围向来以贵金属为中心，并以此展开广泛 活动。在日本国内，以最高水准的贵金属交易量为傲的田中贵金属，长年以来除了进行产业用贵 金属产品的制造和贩售外，也供应贵金属制作珠宝饰品和投资型贵金属商品。本集团以贵金属专业团队之姿，旗下的国内外各集团公司协调合作，使制造、贩售与技术一体化，并供应相关产品与服务。2023 年度（2023年12月止）的合并营业额为6,111亿日圆，拥有5,355名员工。
官方网站：TANAKA PRECIOUS METAL TECHNOLOGIES
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